中国兵器工业集团北方通用电子集团公司申请的“一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法”、“一种PIND预检测方法和装置”和“一种N沟道JFET集成放大器的制造方法”日前获得国家知识产权局专利局发明授权。
　
　　据介绍，“一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法”可实现MEMS器件压焊点间的电学隔离，有效解决电极互连时对压焊点密封结构的影响，具有真空保持时间长、工艺通用性好等优点。
　
　　“一种PIND预检测方法和装置”提出了一种厚膜混合集成电路粒子碰撞噪声检测（PIND）预检测方法及其检测装置，采取该方法和装置使得电路在封装前就可对多余物检测和处理，避免产品在封装后检测到多余物而不得不报废或返工，从而提高了质量控制能力。
　
　　“一种N沟道JFET集成放大器的制造方法”可缩小电路版图面积，减小电路噪声，降低电路功耗，提高极限频率，并加强抗辐照的能力。